第1章
CMP抛光液概述
CMP工艺简介 · 抛光液作用 · 基本组成（磨料、氧化剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂）
基础组成
第2章
磨料的选择与特性
二氧化硅/氧化铝/铈基磨料 · 粒径形貌对抛光速率和表面质量的影响
磨料粒径
第3章
氧化剂的作用与选择
双氧水分解机理 · 硝酸铈铵应用 · 氧化剂浓度对MRR的影响
氧化剂H2O2
第4章
络合剂与螯合剂
FA/O型 · 柠檬酸 · EDTA作用机理 · 控制金属离子污染
络合螯合
第5章
表面活性剂与分散剂
阴/非离子选择 · 防团聚机制 · 对抛光后清洗的影响
分散清洗
第6章
pH调节剂与缓冲体系
pH对Zeta电位影响 · 对速率/选择比影响 · TMAH/KOH缓冲体系
pH缓冲
第7章
抛光液配方设计原则
针对氧化物/金属/多晶硅配方思路 · 选择比控制 · 成本与环保
配方设计
第8章
磨料浓度与粒径优化
浓度对MRR/粗糙度影响 · 粒径分布与划伤风险 · 粒径失控教训
优化教训
第9章
氧化剂浓度与pH协同效应
H2O2不同pH下稳定性 · 协同决定电化学腐蚀行为
协同电化学
第10章
添加剂对选择比的影响
BTA对铜/钽选择比 · 加速剂对氧化物抛光速率提升
添加剂选择比
第11章
CMP工艺参数概述
压力 · 转速 · 抛光垫转速 · 流量 · 温度对结果的影响
工艺参数
第12章
压力与转速的匹配
Preston方程应用 · 压力分布均匀性 · 转速对流体动压贡献
Preston匹配
第13章
抛光液流量与温度控制
流量对液膜更新 · 温度Arrhenius效应 · 温控系统设计
流量温度
第14章
抛光垫的选择与修整
硬垫/软垫适用场景 · 修整频率与深度对寿命影响
抛光垫修整
第15章
终点检测技术
OES · 摩擦力 · 电机电流监测原理与实战经验
终点检测
第16章
铜CMP抛光液配方详解
铜CMP挑战 · 典型配方（磨料+氧化剂+BTA+络合剂）· 工艺窗口
铜CMP配方
第17章
钨CMP抛光液配方详解
氧化-溶解机理 · 铁基氧化剂 · 对氧化硅高选择比
钨CMP选择比
第18章
氧化物CMP（STI/ILD）抛光液
二氧化铈优势 · pH对氧化物/氮化硅选择比 · 阻挡层抛光
STIILD
第19章
多晶硅CMP抛光液
多晶硅抛光特点 · 碱性抛光液 · 对牺牲氧化层保护
多晶硅碱性
第20章
先进节点（7nm以下）对抛光液的挑战
低k/超低k机械强度 · 缺陷控制（划伤、颗粒残留）
先进节点挑战
第21章
抛光液稳定性与寿命管理
磨料沉降 · 氧化剂分解 · 微生物滋生 · 现场周期监控
稳定性寿命
第22章
抛光液过滤与纯化
过滤精度选择 · 对磨料浓度影响 · 在线过滤系统设计
过滤纯化
第23章
抛光液混合与供给系统
中央供液CSS · 在线混合技术 · 流量精度控制
供液混合
第24章
抛光后清洗（Post-CMP Clean）
清洗液配方 · 兆声+刷洗 · 颗粒去除效率
清洗Post-CMP
第25章
缺陷分析与表征
表面划伤根因 · 有机残留检测（FTIR、XPS）
缺陷表征
第26章
抛光液性能测试方法
粒径分析DLS · Zeta电位 · 粘度密度 · 电化学Tafel/EIS
测试性能
第27章
抛光速率与均匀性评价
12寸WIWNU · WTWNU · 边缘效应消除
均匀性速率
第28章
成本控制与环保合规
磨料回收 · 废水处理 · REACH与RoHS合规
成本环保
第29章
案例实战：铜CMP凹陷与侵蚀
通过调整BTA浓度与压力分布改善凹陷
案例铜CMP
第30章
案例实战：氧化物CMP划伤根因排查
磨料团聚 · 抛光垫状态 · 过滤系统三方面解决划伤
案例划伤