点缺陷、线缺陷、面缺陷的定义与分类，缺陷对半导体电学性能的影响机制。
光学显微镜（OM）与扫描电子显微镜（SEM）在缺陷观测中的应用与样品制备。
透射电子显微镜（TEM）与X射线衍射（XRD）在晶体缺陷分析中的实操要点。
堆垛层错（OSF）与氧化诱生点缺陷的复现实验设计。
重金属（Fe、Cu、Ni）在硅中的扩散、沉淀行为及复现方法。
缺陷导致漏电、击穿、短路等失效模式的复现与关联分析。
缺陷密度监控图、Cpk与缺陷复现实验的稳定性评估。
GaN HEMT中栅漏电缺陷的工艺复现与电学表征。
SiC MOSFET中基底位错（BPD）导致双极退化的复现。
先进FinFET中鳍片边缘缺陷的复现与TEM验证。
早期失效、随机失效与磨损失效中缺陷的加速复现实验。
利用Sentaurus或Silvaco进行缺陷辅助的器件仿真。