⚡ 氮化镓器件寄生参数分析与优化
📘 30章 · 从基础到实战
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01
GaN器件基础
GaN材料特性
HEMT结构
2DEG原理
GaN vs Si/SiC
02
寄生参数概述
定义
高频影响
提取方法概览
03
栅极寄生电容Cgs
物理来源
开关速度
建模与测量
04
栅漏寄生电容Cgd (米勒)
米勒效应
开关损耗
降低工艺
05
漏源寄生电容Cds
Cds来源
Coss关系
软开关影响
06
栅极寄生电阻Rg
物理构成
充电速度
栅指优化
07
漏/源极寄生电阻Rd/Rs
来源
Ron分解
欧姆接触
08
源极寄生电感Ls
共源反馈
开关瞬态
封装优化
09
栅极寄生电感Lg
来源
栅极振荡
降低方法
10
漏极寄生电感Ld
电压过冲
功率回路
优化
11
寄生参数提取(一)
S参数
VNA
校准技术
12
寄生参数提取(二)
等效电路
小信号拟合
去嵌入
13
寄生参数提取(三)
EM仿真
HFSS/Q3D
实测对比
14
封装寄生参数
TO-247/PQFN
键合线
铜夹片
15
PCB布局寄生参数
走线电感
过孔
功率回路
16
寄生参数 & 开关损耗
硬开关
dV/dt dI/dt
损耗模型
17
振荡与EMI
栅极振荡
电压振铃
EMI抑制
18
寄生参数 & 效率
轻载/重载
死区优化
19
寄生参数 & 可靠性
过冲击穿
电流集中
栅尖峰
20
驱动电路寄生参数
驱动电感
电阻优化
开尔文源极
21
器件级优化
场板
栅极凹槽
T型栅
22
工艺级优化
衬底减薄
通孔
空气桥
23
封装级优化
倒装焊
铜柱凸点
嵌入式
24
系统级优化
多层PCB
去耦电容
叠层设计
25
GaN器件建模(一)
大信号模型
Angelov
ASM-HEMT
26
GaN器件建模(二)
寄生子电路
温度效应
自热效应
27
GaN器件建模(三)
参数提取
验证拟合
模型库
28
双脉冲测试DPT
DPT原理
平台搭建
波形提取
29
案例分析(一)
200W LLC
寄生优化
效率提升
30
案例分析(二)
6.6kW OBC
寄生设计
EMI解决