📦 先进封装 · 全流程拆解
🎓 30章 · 从入门到前沿
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🧩 30个模块完整覆盖
01
先进封装概述
什么是先进封装
先进封装与传统封装的对比
先进封装的发展驱动力
先进封装的主要技术分类
02
晶圆级封装（WLP）基础
晶圆级封装的定义与特点
扇入型WLP vs 扇出型WLP
WLP的关键工艺步骤
WLP的应用场景
03
扇出型晶圆级封装 (FOWLP)
FOWLP的核心原理
芯片重构与模塑工艺
RDL（重布线层）技术
FOWLP的优势与挑战
04
2.5D封装与硅中介层
2.5D封装架构
硅中介层 (Interposer) 的作用
TSV（硅通孔）技术基础
微凸点与C4凸点技术
05
3D封装与堆叠技术
3D封装的分类 (3D IC vs 3D封装)
芯片堆叠方式 (Face-to-Face, Face-to-Back)
混合键合 (Hybrid Bonding) 技术
热管理挑战
06
嵌入式多芯片互连桥 (EMIB)
EMIB的提出背景
EMIB的工作原理
EMIB与硅中介层的对比
EMIB在FPGA/GPU中的应用
07
硅桥技术 (Co-EMIB与ODI)
Co-EMIB架构
ODI (Omni-Directional Interconnect) 技术
多芯片互联的带宽提升
Intel的封装策略
08
系统级封装 (SiP)
SiP的定义与优势
SiP的集成方式 (2D SiP, 3D SiP)
SiP中的无源器件集成
SiP在射频/传感器中的应用
09
芯片异构集成 (Heterogeneous Integration)
异构集成的概念
不同工艺节点的芯片集成
chiplet（芯粒）设计思想
UCIe（通用芯粒互连）标准
10
先进封装材料
模塑材料 (EMC)
底部填充胶 (Underfill)
热界面材料 (TIM)
介电材料与光刻胶
11
光刻与光刻胶工艺
先进封装中的光刻要求
厚胶光刻工艺
光刻胶的选择与涂布
对准与曝光技术
12
电镀与化学镀工艺
铜电镀在RDL中的应用
电镀均匀性控制
化学镀镍钯金 (ENEPIG)
电镀设备与工艺参数
13
蚀刻工艺
湿法蚀刻与干法蚀刻
TSV蚀刻 (Bosch工艺)
RDL蚀刻
蚀刻选择比与侧壁控制
14
化学机械抛光 (CMP)
CMP在先进封装中的作用
铜CMP与介质CMP
CMP的缺陷控制
CMP终点检测
15
等离子体工艺
等离子体清洗
等离子体活化
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)
等离子体在键合中的应用
16
晶圆减薄与划片
晶圆减薄工艺 (研磨、抛光)
减薄后的应力控制
激光划片与机械划片
隐形切割技术
17
芯片贴装 (Die Attach)
贴片机与对准精度
热压键合 (TCB)
回流焊贴装
助焊剂残留与清洗
18
引线键合 (Wire Bonding)
金线键合与铜线键合
楔形键合与球形键合
键合参数优化
键合拉力测试
19
倒装芯片 (Flip Chip) 技术
凸点制备 (电镀、植球)
回流焊与助焊剂
底部填充工艺
倒装芯片的可靠性
20
微凸点 (Micro Bump) 与细间距技术
微凸点的尺寸演进
细间距带来的挑战
电迁移 (EM) 问题
微凸点可靠性测试
21
混合键合 (Hybrid Bonding)
混合键合的原理 (Cu-Cu与介质键合)
键合界面微观结构
键合工艺温度控制
混合键合在3D NAND中的应用
22
热管理技术
先进封装的热流密度
散热路径设计
微通道液冷
嵌入式散热结构
23
可靠性测试与失效分析
温度循环 (TCT)
高加速应力测试 (HAST)
跌落测试
失效分析手段 (X-ray, SAM, SEM)
24
翘曲控制
晶圆与封装翘曲的成因
翘曲测量方法
工艺参数对翘曲的影响
翘曲补偿设计
25
先进封装中的检测技术
在线检测 (AOI, AXI)
晶圆级测试
KGD（已知良品芯片）策略
测试覆盖率优化
26
先进封装设计 (DFx)
面向制造的设计 (DFM)
面向测试的设计 (DFT)
面向可靠性的设计 (DFR)
设计规则检查 (DRC)
27
先进封装仿真
热仿真 (FEM)
应力仿真
电性能仿真 (SI/PI)
工艺仿真 (模流、翘曲)
28
先进封装产线布局
洁净室等级与布局
自动化物料搬运系统 (AMHS)
设备集群与节拍平衡
产线数字化与MES系统
29
先进封装成本分析
成本构成 (材料、设备、良率)
不同封装方案的成本对比
良率对成本的影响
降本策略
30
先进封装未来趋势
Chiplet生态与UCIe 2.0
玻璃基板技术
光子集成封装
AI驱动的封装设计