01
显示驱动芯片可靠性设计概述
可靠性定义、失效模式分类、设计挑战与趋势
概论失效模式
02
ESD防护设计基础
ESD模型（HBM/CDM/MM）、防护原理、设计窗口
HBMCDMMM
03
ESD防护器件设计
GGNMOS、GCNMOS、SCR结构、二极管链
GGNMOSSCR
04
ESD防护网络设计
电源轨钳位、I/O防护、全芯片协同设计
电源钳位I/O
05
ESD设计实例分析
显示驱动芯片ESD设计案例、失效分析
案例失效分析
06
闩锁效应（Latch-up）机理
寄生BJT触发、维持电压、触发条件
BJT维持电压
07
闩锁效应防护设计
Guard Ring设计、衬底接触、阱接触、版图规则
Guard Ring版图
08
闩锁效应测试与评估
JEDEC标准、测试方法、设计优化
JEDEC测试
09
热载流子注入（HCI）效应
机理、模型、对驱动芯片的影响
HCI退化
10
HCI可靠性设计
沟道工程、LDD结构、版图优化、工作电压降额
LDD降额
11
负偏置温度不稳定性（NBTI）
PMOS退化机理、恢复效应、模型
NBTIPMOS
12
NBTI缓解设计
栅氧化层优化、应力控制、电路补偿技术
栅氧补偿
13
栅氧化层完整性（GOI）
TDDB机理、击穿模型、寿命评估
TDDBGOI
14
GOI可靠性设计
栅氧厚度选择、电压应力降额、工艺优化
栅氧厚度降额
15
电迁移（EM）效应
机理、失效模式、Black方程
EMBlack方程
16
EM可靠性设计
电流密度规则、冗余设计、布线策略
电流密度冗余
17
应力迁移（SM）与热应力
机理、影响、设计考量
SM热应力
18
显示驱动芯片的电源完整性
IR Drop、地弹、去耦电容设计
IR Drop去耦
19
信号完整性（SI）基础
反射、串扰、传输线效应
反射串扰
20
显示接口的SI设计
MIPI、LVDS、eDP接口的可靠性考量
MIPILVDSeDP
21
高电压工艺可靠性
LDMOS器件、隔离技术、击穿电压设计
LDMOS隔离
22
高压驱动电路可靠性
电平移位器、输出级、电荷泵的可靠性
电平移位电荷泵
23
温度对可靠性的影响
自热效应、温度分布、热管理设计
自热热管理
24
可靠性仿真与建模
SPICE模型、Monte Carlo分析、老化仿真
SPICEMonte Carlo
25
可靠性加速测试
HTOL、HAST、温度循环、ESD测试
HTOLHAST
26
失效分析技术
EMMI、OBIRCH、SEM、FIB、热成像
EMMIOBIRCHFIB
27
可靠性设计规则（Design Rule）
Foundry规则解读、裕量设计
Design Rule裕量
28
车规级显示驱动芯片可靠性
AEC-Q100标准、零缺陷策略
AEC-Q100车规
29
可靠性设计流程
DFR方法论、FMEA、FTA、设计评审
DFRFMEAFTA
30
显示驱动芯片可靠性发展趋势
先进工艺挑战、AI for Reliability、3D IC可靠性
AI3D IC