3.1 导通损耗：最直观，但最容易算错

导通损耗，就是MOSFET完全导通时，电流流过沟道产生的损耗。计算公式很简单：

P_cond = I_rms² × R_ds(on)

这里有两个关键点，我分别说一下。

第一，电流要用有效值（RMS），不是平均值。 半桥LLC的谐振电流是正弦波，不是直流。很多人直接用平均电流去算，结果算出来的损耗偏小，散热器烫得不行才反应过来。我建议你直接用示波器测出电流波形，或者用仿真软件读出RMS值。

第二，R_ds(on)是随温度变化的。 数据手册上给的R_ds(on)通常是25°C时的值。实际工作时，结温可能到100°C甚至更高。以我常用的英飞凌CoolMOS为例，100°C时R_ds(on)大约是25°C时的1.7倍。你算损耗时，一定要用热态下的R_ds(on)。

举个例子。假设一个LLC变换器，谐振电流有效值为10A，选了一颗R_ds(on)25°C = 100mΩ的管子。按125°C估算，R_ds(on)hot ≈ 200mΩ。那么：

P_cond = 10² × 0.2 = 20W

如果你按25°C算，只有10W。差了一倍！你说这散热设计能不出问题吗？

3.2 开关损耗：LLC的独特之处

开关损耗包括开通损耗和关断损耗。但在半桥LLC中，情况有点特殊——因为LLC可以实现零电压开通（ZVS）。

开通损耗： 如果实现了ZVS，MOSFET在开通前，漏源电压已经降到接近0V。这时候开通，几乎没有电压电流交叠，开通损耗可以忽略不计。嗯，这里要注意，ZVS是有条件的。我遇到过一些情况，轻载时ZVS丢失了，开通损耗突然变大，管子温度飙升。

关断损耗： 关断时，MOSFET的电流和电压会有交叠。关断损耗的计算公式是：

P_off = 0.5 × V_ds × I_d × t_off × f_sw

其中t_off是关断时间，包括电流下降时间和电压上升时间。这个值可以从数据手册的开关特性曲线里读出来。

对于LLC变换器，关断损耗通常比开通损耗大。我个人习惯把开关损耗的80%算在关断上，20%算在开通上（假设ZVS不完全）。当然，最准确的方法还是用双脉冲测试来实测。

3.3 驱动损耗：别小看它

驱动损耗，就是驱动电路给MOSFET的栅极电容充放电消耗的能量。计算公式：

P_drive = Q_g × V_drv × f_sw

其中：

• Q_g：栅极总电荷，单位nC，从数据手册查
• V_drv：驱动电压，通常是10V或12V
• f_sw：开关频率

举个例子。一颗MOSFET的Q_g = 50nC，驱动电压12V，开关频率100kHz：

P_drive = 50e-9 × 12 × 100e3 = 0.06W

才0.06W？看起来很小对吧。但如果你用的是大功率LLC，比如几个千瓦级别的，可能会用多颗MOSFET并联。假设用了4颗，驱动损耗就是0.24W。再加上驱动芯片自身的损耗，加起来也有0.5W左右。虽然不大，但也不能完全忽略。

3.4 总损耗与结温估算

把三种损耗加起来，就是MOSFET的总损耗：

P_total = P_cond + P_sw + P_drive

有了总损耗，就可以估算结温了：

T_j = T_a + P_total × R_thJA

其中R_thJA是结到环境的热阻，单位°C/W。这个值取决于散热设计。

我一般要求结温不超过110°C，留20°C的余量到125°C的极限。如果算出来结温太高，要么换R_ds(on)更小的管子，要么加强散热，要么降低开关频率。

3.5 实战中的选型建议

说了这么多，总结几条我自己的选型经验：

1. 先算导通损耗，再算开关损耗。 重载时导通损耗是主要矛盾，轻载时开关损耗是主要矛盾。根据你的典型负载点来权衡。
2. 关注R_ds(on)和Q_g的乘积。 这个乘积（FOM，品质因数）越小，管子综合性能越好。我选型时，会先看这个值。
3. 不要只看典型值，要看最大值。 数据手册上的R_ds(on)和Q_g都有最大值，按最大值算更保险。
4. 实际测试验证。 理论计算只是第一步。板子打样回来后，一定要用热成像仪测一下MOSFET的温度，看看和计算值是否吻合。