01
PN结基础回顾
半导体物理基础 · PN结形成与能带图 · 耗尽层与内建电场
能带内建电场
02
击穿机制详解
雪崩击穿 · 齐纳击穿 · 热击穿与二次击穿
雪崩齐纳
03
耐压仿真设置
TCAD/Sentaurus环境搭建 · 网格划分 · 物理模型选择
TCAD网格
04
漏电机理分析
反向饱和电流 · 产生复合电流 · 表面/沟道漏电
漏电表面
05
温度特性仿真
温度对击穿电压影响 · 温度对漏电影响 · 负温度系数
温度NTC
06
掺杂浓度影响
衬底掺杂 · 漂移区优化 · 场限环设计
掺杂场限环
07
结终端技术
场板结构 · 场限环 · 结终端扩展(JTE)仿真
终端JTE
08
台面与平面工艺
台面耐压 · 平面耐压 · 工艺偏差影响
台面平面
09
边缘效应仿真
曲率效应 · 柱面结与球面结 · 终端结构优化
曲率边缘
10
漏电温度扫描
变温漏电测试 · Arrhenius图 · 激活能提取
Arrhenius激活能
11
击穿电压扫描
反向I-V特性 · 击穿点判定 · 软/硬击穿
I-V击穿
12
SRH复合模型
Shockley-Read-Hall复合 · 少子寿命 · 陷阱辅助漏电
SRH陷阱
13
俄歇复合与带带隧穿
俄歇复合 · 带带隧穿模型 · 高场效应
俄歇隧穿
14
表面态影响
界面陷阱电荷 · 固定氧化层电荷 · 表面复合速度
界面态复合
15
辐射效应仿真
总剂量效应 · 位移损伤 · 单粒子效应初步
辐射总剂量
16
场板结构优化
场板长度优化 · 介质厚度优化 · 多级场板设计
场板优化
17
场限环优化
环间距优化 · 环宽度优化 · 环数优化
场限环间距
18
结终端扩展(JTE)
JTE掺杂浓度优化 · 长度优化 · 多区JTE设计
JTE多区
19
VLD变掺杂终端
VLD原理 · 掺杂分布设计 · VLD仿真验证
VLD变掺杂
20
深槽隔离技术
深槽刻蚀仿真 · 深槽填充 · 深槽终端耐压
深槽隔离
21
超结结构仿真
超结原理 · 电荷平衡 · 超结耐压仿真
超结电荷平衡
22
SiC与GaN宽禁带
SiC PN结耐压 · GaN PN结仿真 · 宽禁带优势
SiCGaN
23
SOI器件耐压
SOI结构仿真 · 埋氧层影响 · 自热效应
SOI自热
24
功率二极管仿真
PiN耐压 · 肖特基漏电 · JBS结构仿真
PiNJBS
25
IGBT耐压分析
IGBT漂移区 · 场终止层 · N-buffer优化
IGBT场终止
26
MOSFET体二极管
体二极管耐压 · 体二极管漏电 · 寄生BJT效应
体二极管寄生BJT
27
ESD与浪涌仿真
ESD事件仿真 · 浪涌电流冲击 · 失效分析
ESD浪涌
28
可靠性评估
高温反偏(HTRB) · 温度循环 · 电迁移
HTRB可靠性
29
参数提取与建模
击穿电压提取 · 漏电模型参数 · SPICE模型生成
参数提取SPICE
30
综合案例实战
600V/1200V PN结设计 · 仿真报告 · 设计优化迭代
实战600V1200V