2. 传热学基础:热传导、热对流、热辐射三大传热方式,热阻网络模型,稳态与瞬态热分析
做FOC散热设计,说白了就是跟热量赛跑。你想想看,MOS管和芯片就那么点大,电流一上去,热量瞬间就来了。不懂传热学,你连散热片该贴多大都不知道。
我个人习惯,先把三大传热方式搞清楚。这是所有热管理的基础。
2.1 热传导:热量在固体里怎么跑
热传导,就是热量从高温区往低温区跑。在固体里,靠的是分子振动和自由电子运动。金属导热快,空气导热慢,就是这个道理。
核心公式:傅里叶定律
Q = -k * A * (dT/dx)
其中:
Q —— 热流量,单位 W
k —— 导热系数,单位 W/(m·K)
A —— 截面积,单位 m²
dT/dx —— 温度梯度,单位 K/m
我在项目中遇到过一件事。有次设计一个48V/10A的电机驱动器,MOS管底部焊盘直接铺铜。我以为铜够厚就没事,结果一跑满载,温度直接飙到120°C。后来一查,问题出在PCB的导热系数上——普通FR4的k值只有0.3 W/(m·K),而铜是400 W/(m·K)。
关键材料导热系数对比
| 材料 | 导热系数 (W/(m·K)) | 常见用途 |
|---|---|---|
| 铜 | 400 | PCB走线、散热片 |
| 铝 | 237 | 散热器外壳 |
| 氧化铝陶瓷 | 25-30 | 绝缘导热垫片 |
| FR4 | 0.3 | 普通PCB基材 |
| 导热硅脂 | 3-8 | 界面填充 |
| 空气 | 0.026 | 自然对流 |
嗯,这里要注意。导热系数不是越大越好。你得看应用场景。比如MOS管和散热器之间,需要导热硅脂来填充微小缝隙。硅脂的k值虽然只有3-8,但比空气强了100多倍。
2.2 热对流:风冷和水冷的秘密
热对流,是流体(空气或水)流过固体表面时带走热量。FOC系统里,最常见的就是风扇吹散热片。
牛顿冷却定律
Q = h * A * (Ts - T∞)
其中:
h —— 对流换热系数,单位 W/(m²·K)
A —— 换热面积,单位 m²
Ts —— 固体表面温度,单位 °C
T∞ —— 流体温度,单位 °C
这个h值很关键。自然对流时,h大概5-25 W/(m²·K)。强制风冷可以到50-250 W/(m²·K)。水冷更猛,能到500-10000 W/(m²·K)。
我曾经踩过一个坑。有次设计一个500W的伺服驱动器,我算好了散热面积,用了铝挤散热片。结果实测温度比计算高了15°C。后来发现,我把散热片放在机箱底部,风扇吹出来的风被挡住了,形成回流。说白了,风道设计比散热面积更重要。
实战建议:
- 自然对流:散热片间距至少4mm,太密了空气流不动
- 强制风冷:风速2-3 m/s效果最好,再快收益递减
- 水冷:注意水垢问题,我见过因为水质太硬导致水道堵塞的案例
2.3 热辐射:别小看它
很多人做FOC散热时,直接忽略热辐射。其实在高温差或真空环境下,辐射占比很大。
斯特藩-玻尔兹曼定律
Q = ε * σ * A * (Ts⁴ - T∞⁴)
其中:
ε —— 发射率,黑体为1,抛光金属约0.1
σ —— 斯特藩-玻尔兹曼常数,5.67×10⁻⁸ W/(m²·K⁴)
A —— 表面积,单位 m²
Ts —— 表面温度,单位 K
T∞ —— 环境温度,单位 K
你想想看,温度从85°C升到125°C,辐射热量能翻一倍。因为它是四次方关系。
我记得有次做户外电机控制器,外壳是抛光铝的。夏天太阳直射,外壳温度到了70°C。后来我建议把外壳喷成黑色亚光漆,发射率从0.1提到0.9,内部温度直接降了8°C。这就是辐射的威力。
注意: 辐射散热跟环境温度关系很大。在密闭机箱里,辐射热量会被其他部件吸收,反而可能造成局部热点。我一般只在开放空间或温差大的场景下重点考虑辐射。
2.4 热阻网络模型:把散热问题变成电路问题
这是我最喜欢用的方法。把热路类比电路,计算起来特别直观。
热阻定义:
Rth = ΔT / Q
单位:°C/W 或 K/W
一个典型的FOC功率级热阻网络是这样的:
芯片结温(Tj) → 结壳热阻(Rth_jc) → 壳温(Tc) → 接触热阻(Rth_cs) → 散热器温度(Ts) → 散热器热阻(Rth_sa) → 环境温度(Ta)
串联热阻直接相加:
Rth_ja = Rth_jc + Rth_cs + Rth_sa
Tj = Ta + Q * Rth_ja
举个例子。一个MOS管,Rth_jc=0.5°C/W,用导热硅脂Rth_cs=0.3°C/W,散热器Rth_sa=2°C/W。总热阻就是2.8°C/W。如果环境温度40°C,功耗10W,结温就是:
Tj = 40 + 10 * 2.8 = 68°C
嗯,这个温度很安全。但如果散热器选小了,Rth_sa变成5°C/W,结温就变成40+10*(0.5+0.3+5)=98°C。这就有点悬了。
常见封装热阻参考值:
| 封装类型 | Rth_jc (°C/W) | 典型功耗 |
|---|---|---|
| TO-220 | 1.0 - 2.0 | 10-30W |
| TO-247 | 0.3 - 0.8 | 30-100W |
| DFN5x6 | 2.0 - 4.0 | 5-15W |
| QFN | 3.0 - 6.0 | 2-8W |
2.5 稳态与瞬态热分析
稳态分析,就是系统达到热平衡后的温度。用热阻网络算就行。
但FOC系统不是一直满负荷跑的。电机启动、堵转、过载,都是瞬态过程。这时候要看热容。
热容定义:
Cth = m * cp
其中:
m —— 质量,单位 kg
cp —— 比热容,单位 J/(kg·K)
热容越大,温度变化越慢。这就像一个大水缸,水多,升温就慢。
瞬态热响应:
T(t) = T∞ + (T0 - T∞) * e^(-t / τ)
其中:
τ = Rth * Cth —— 时间常数
T0 —— 初始温度
T∞ —— 稳态温度
我举个例子。一个MOS管,Rth_ja=3°C/W,热容Cth=10 J/K。时间常数τ=30秒。如果突然加10W功耗,从25°C开始:
- 30秒后:温度上升了63%,约25+10*3*0.63=43.9°C
- 60秒后:上升了86%,约25+10*3*0.86=50.8°C
- 150秒后:基本稳定在55°C
你看,瞬态分析告诉我们:短时间过载是允许的。比如电机启动时电流可能是额定值的3倍,但只要持续时间短于热时间常数,芯片不会烧。
实战技巧:
- 我一般用RC电路模型来模拟热瞬态,在Simulink里搭一个一阶低通滤波器就行
- 对于多热源系统(比如三相桥臂),要用互热阻矩阵,不能简单叠加
- 热时间常数通常从几秒到几分钟,测试时要有耐心等稳定
2.6 本章知识体系
下面这张图,是我自己总结的传热学知识框架。每次做散热设计前,我都会过一遍。
这张图把本章的核心内容串起来了。从左到右,从理论到应用。你每次做散热设计时,都可以拿这张图对照一下,看看自己漏了哪一步。
好了,传热学基础就讲到这里。记住一句话:散热设计不是玄学,是可以用公式算出来的。下一章我们讲热仿真工具,到时候我会手把手教你用软件验证这些计算。
公众号:蓝海资料掘金营,微信deep3321