第三节：Virtuoso 版图编辑器入门——创建 CellView、LSW 窗口使用、基本绘制与编辑命令

好，咱们正式开始动手了。这一节我带你熟悉 Virtuoso 版图编辑器最核心的几个操作。说白了，就是让你知道怎么打开一个空白画布，怎么选图层，怎么画最基本的图形。这些动作你以后每天要重复几百遍，所以一开始就把习惯养好，后面能省不少事。

3.1 创建 CellView：你的第一块画布

打开 Virtuoso 之后，第一步不是直接画图，而是先创建一个 CellView。你可以把它理解成一张白纸，只不过这张白纸是带刻度的。

操作路径很简单：CIW → File → New → Cell View。弹出来的对话框里，你需要填几个东西：

  • Library：选你之前建好的库。我习惯把不同项目分到不同库，别所有东西都塞一个库里，不然三个月后你自己都找不到。
  • Cell：给这个版图起个名字。比如我叫它 inv_layout，一看就知道是反相器的版图。
  • View：选 layout。这个别选错，选成 schematic 就跑到原理图编辑器里去了。
  • Type：保持默认的 maskLayout 就行。

点 OK 之后，你会看到一个灰色网格窗口。嗯，这就是你的战场了。

我的小习惯：每次新建 CellView 之前，我都会先确认一下当前 Library 的 attach 工艺库对不对。你想想看，画了半天发现图层颜色跟工艺文件对不上，那得多郁闷。我早期就吃过这个亏，画了一个小时的版图，结果发现工艺库没 attach 上，所有图层都是默认的白色——白干了。

3.2 LSW 窗口：你的调色盘

LSW 全称是 Layer Selection Window。你可以把它当成画图的调色盘。没有它，你连一根线都画不了。

LSW 窗口通常会自动弹出来，如果没看到，去 Tools → Layer Selection Window 把它调出来。这个窗口里列出了当前工艺库支持的所有图层，比如 NW（N阱）、ACT（有源区）、PO（多晶硅）、M1（金属1） 等等。

每个图层前面有个小方块，颜色就是你在版图里看到的样子。选中的图层会高亮显示，这时候你画的所有图形都会属于这个图层。

重点来了：LSW 窗口里每个图层都有两个状态——Drawing（绘制）和Select（选择）。你点一下图层名字，它变成 Drawing 状态；再点一下，变成 Select 状态。我刚开始用的时候经常搞混，画了半天发现图层没选对，画出来的东西全在错误的层上。后来我养成一个习惯：画之前先看一眼 LSW 窗口左上角，确认当前 Drawing 层是不是我要的。

还有一个实用功能：LSW 的过滤显示。如果你的工艺库图层特别多（比如某些先进工艺有上百层），你可以右键点击 LSW 窗口，选择 Filter，只显示你常用的图层。我个人会把 M1、M2、VIA1、PO、ACT 这几个放在最前面，其他的收起来。眼不见心不烦。

3.3 基本绘制命令：Path、Polygon、Rectangle

好了，画布有了，图层选好了，现在开始画。Virtuoso 里最基本的三个绘制命令是 Path、Polygon 和 Rectangle。这三个命令你以后会用到烂熟，所以一开始就练扎实。

3.3.1 Rectangle（矩形）

这是最常用的命令，没有之一。快捷键是 R。点一下起点，拖到终点，一个矩形就出来了。矩形的好处是边界规整，DRC 检查时不容易出问题。

操作步骤：

  1. 在 LSW 里选好图层（比如 M1）。
  2. 按键盘 R 键，或者点工具栏上的矩形图标。
  3. 在版图区域点一下左键，确定起点。
  4. 拖动鼠标，看到矩形预览，再点一下左键确定终点。

嗯，就这么简单。但这里有个坑：矩形的大小怎么控制？ 你当然可以凭感觉拖，但做版图讲究的是精确。我建议你养成用 坐标输入 的习惯。在拖动矩形的时候，按 F3 键，会弹出一个参数窗口，里面可以输入矩形的宽度和高度。比如输入 0.5 和 1.0（单位是微米），矩形就精确地变成 0.5μm × 1.0μm。

注意：坐标输入的单位默认是微米（μm），但有些工艺库用的是纳米（nm）。如果你发现画出来的矩形小得看不见或者大得离谱，先检查一下单位设置。我曾经有一次把单位搞混了，画了一个 500μm 的矩形，结果整个屏幕都装不下。

3.3.2 Path（路径）

Path 用来画连线，比如金属走线。快捷键是 P。Path 和 Rectangle 的区别在于：Path 可以画折线，而且有固定的宽度。

操作步骤：

  1. 选好图层（比如 M1）。
  2. 按 P 键。
  3. 在起点点一下，然后移动鼠标，每点一下左键就增加一个拐点。
  4. 按 Esc 或双击结束。

Path 的宽度怎么设？同样按 F3，在参数窗口里输入 Width 值。比如金属1的最小宽度是 0.5μm，你就设成 0.5。别设小了，不然 DRC 会报错。

我个人习惯用 Path 画电源线和地线。因为电源线通常比较宽（比如 2μm 或 5μm），用 Path 可以一次性画完，不用一段一段拼矩形。你想想看，如果用 Rectangle 画一条 100μm 长的电源线，你得点多少下？Path 两下就搞定了。

3.3.3 Polygon（多边形）

Polygon 是最灵活的，也是最容易出问题的。快捷键是 G（或者 Shift+P，看你的版本）。Polygon 可以画任意形状，不限于直角。

操作步骤：

  1. 选好图层。
  2. 按 G 键。
  3. 在版图区域依次点击多边形的各个顶点。
  4. 最后回到起点附近，光标会变成一个圆圈，点一下闭合。

Polygon 的坑在哪里？DRC 检查时，非直角的多边形很容易报错。 很多工艺规则要求图形必须是 45 度或 90 度角，你画一个 30 度的斜角，DRC 直接给你标红。所以除非你很清楚自己在做什么，否则尽量用 Rectangle 和 Path，少用 Polygon。

避坑指南：我曾经在画一个模拟电路的匹配管时，为了省面积，用 Polygon 画了一个梯形有源区。结果 DRC 报了一堆「角度违规」和「最小间距违规」。后来我老老实实改成矩形阵列，虽然面积大了一点，但 DRC 一次过。所以我的建议是：能用矩形，就别用多边形。

3.4 基本编辑命令：移动、复制、拉伸、删除

画完了图形，你肯定需要调整。Virtuoso 的编辑命令也很直观。

命令 快捷键 说明
移动 M 选中图形，按 M，点基准点，再点目标位置
复制 C 跟移动类似，但保留原图形
拉伸 S 选中图形的边或顶点，拖动改变形状
删除 Delete 选中后按 Delete 键

这里重点说一下 拉伸（Stretch）。这个命令非常实用。比如你画了一个矩形，发现宽度不够，不用删了重画。按 S 键，点中矩形的一条边，拖动到合适位置就行。我经常用这个命令来微调图形尺寸，比重新画快多了。

还有一个技巧：按住 Shift 键可以多选。比如你要同时移动好几个图形，按住 Shift 依次点选，或者用鼠标框选，然后按 M 移动。这个在调整模块位置时特别有用。

3.5 实战小练习：画一个反相器的版图轮廓

光说不练假把式。咱们来画一个简单的反相器版图轮廓，把刚才学的命令用一遍。

步骤：

  1. 新建 CellView，取名 inv_layout_demo。
  2. 在 LSW 里选 NW（N阱） 图层，按 R 画一个矩形，大小 2μm × 3μm。这是 PMOS 的阱区。
  3. 切换到 ACT（有源区） 图层，在 NW 内部画两个矩形，分别作为 PMOS 和 NMOS 的有源区。大小各 1μm × 1.5μm，间距 0.5μm。
  4. 切换到 PO（多晶硅） 图层，用 R 画一条横跨两个有源区的矩形，宽度 0.2μm。这就是栅极。
  5. 切换到 M1（金属1） 图层，用 P 画一条 Path，连接栅极和输出端。

画完之后，按 Ctrl+S 保存。嗯，一个简单的反相器轮廓就出来了。虽然还没加接触孔和金属连线，但至少形状是对的。

我的建议：刚开始学的时候，别追求一次画对。多画几遍，熟悉快捷键。我当年练这个反相器画了不下 50 遍，直到闭着眼睛都能把尺寸和间距背出来。熟能生巧，这话在版图设计里一点不假。

好了，这一节的内容就到这儿。下一节咱们会讲怎么加接触孔和通孔，以及怎么跑 DRC 检查。到时候你会发现，画图只是开始，真正磨人的是后面那些检查规则。

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