⚡ 台积电工艺迁移实战 28nm → 7nm

📘 30章 · 完整目录
🧩 30个模块 📐 从DRC到DFY 🚀 FinFET & 多重 patterning 🎯 实战迁移
01
工艺节点定义、关键参数对比(密度、功耗、性能)、迁移动机与挑战。
02
28nm DRC规则回顾、7nm DRC新规则(SAQP)、DRC脚本迁移实战。
03
28nm库特性、7nm库新特性(FinFET结构、复杂LEF)、库选择与评估。
04
I/O电压域变化、ESD设计差异、SRAM编译器配置迁移。
05
模拟电路版图迁移策略、匹配性考量、寄生参数提取变化。
06
从CCS到NLDM模型变化、OCV到AOCV迁移、时序例外处理。
07
7nm下STA工具配置、多角多模分析、信号完整性分析增强。
08
动态功耗与漏电模型变化、低功耗技术(电源门控)在7nm下的实现。
09
从平面到FinFET设计流程变化、关键步骤:floorplan, placement, CTS, routing。
10
die size估算、IO规划、电源网络规划(VDD/VSS mesh)、硬宏摆放策略。
11
7nm下IR drop挑战、电源网格密度优化、电迁移(EM)规则变化。
12
拥塞度评估、FinFET单元布局约束、时钟门控单元布局优化。
13
7nm下时钟skew目标、时钟网格与H-tree选择、时钟功耗优化。
14
多层金属堆栈变化、通孔优化、天线效应修复、DFM规则填充。
15
7nm下寄生模型变化(CMP、LPE)、提取精度与效率平衡。
16
DRC、LVS、ERC规则集更新、金属填充策略、良率导向设计。
17
热载流子注入、负偏压温度不稳定性、电迁移老化分析。
18
OPC规则变化、SRAF插入、CMP热点修复。
19
功能ECO与时序ECO在7nm下的实现、ECO脚本自动化。
20
逻辑等价性检查设置变化、跨工艺节点验证策略。
21
7nm下仿真模型变化(混合信号仿真)、验证IP迁移。
22
扫描链插入变化、压缩技术、边界扫描在7nm下的实现。
23
7nm下良率模型、关键面积分析、良率学习循环。
24
第三方IP评估、硬宏与软宏集成策略、接口时序收敛。
25
Synopsys/Cadence/Mentor工具版本选择、PDK安装与配置、工艺文件设置。
26
迁移项目计划制定、里程碑设定、跨团队沟通机制。
27
某AI芯片迁移过程、遇到的问题与解决方案。
28
某通信芯片迁移教训、时序不收敛与功耗超标原因分析。
29
GAA晶体管、先进封装与异构集成展望。
30
迁移流程总结、常见问题FAQ、使用PDK完成简单模块迁移。