📐 SMIC 模拟版图·设计规则

📘 30章 友好·专业硬核
01 SMIC工艺概述
发展历程 节点分类 模拟版图重要性
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02 版图设计环境搭建
EDA工具选择 PDK安装配置 工艺文件加载 显示与快捷键
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03 基础层定义与用途
N阱/P阱 有源区AA 多晶硅PO N+/P+注入 接触孔/金属1
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04 设计规则核心概念
最小宽度 最小间距 包围/延伸 天线效应
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05 有源区(AA)设计规则
AA最小宽度 AA间距 与阱边缘间距 与PO交叠
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06 多晶硅(PO)设计规则
PO最小宽度 PO间距 与AA交叠长度 拐角/密度
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07 接触孔(CO)设计规则
CO最小尺寸 CO间距 与AA/PO包围 阵列排布
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08 金属1(M1)设计规则
M1最小宽度 M1间距 与CO包围 电流密度限制
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09 通孔(VIA)设计规则
VIA1/2/3最小尺寸 VIA间距 与金属包围 阵列规则
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10 金属互连设计规则
线宽与电流 间距与电压 金属密度 绕线角度限制
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11 阱(Well)设计规则
NW/PW最小宽度 不同电位阱间距 阱接触规则 阱包围规则
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12 注入层(Implant)规则
NP/P注入宽度 注入层间距 与阱边缘关系 LDD注入规则
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13 ESD保护器件版图规则
GGNMOS版图 二极管版图 ESD环设计 与核心电路间距
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14 匹配器件版图规则
共质心布局 叉指结构 虚拟器件Dummy 匹配精度与面积
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15 电阻版图设计规则
多晶硅电阻 阱电阻 金属电阻 匹配与温度系数
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16 电容版图设计规则
MIM电容 MOM电容 MOS电容 匹配与寄生控制
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17 电感版图设计规则
螺旋电感 对称电感 屏蔽层规则 Q值优化
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18 双极型晶体管(BJT)版图
纵向PNP 横向NPN BJT匹配规则 寄生BJT抑制
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19 LDMOS版图设计规则
漂移区规则 场板规则 沟道长度规则 击穿电压与版图
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20 天线效应与防护
天线比率计算 天线规则检查 跳线法防护 二极管法防护
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21 闩锁效应(Latch-up)防护
Guard Ring设计 阱接触间距 衬底接触规则 版图检查
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22 密度规则与CMP
金属密度规则 有源区密度 虚拟填充Dummy Fill CMP平坦化
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23 层次化版图设计
Cell设计规则 顶层连线规则 模块间间距 层次化DRC
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24 DRC/LVS检查流程
DRC规则文件解读 常见错误修复 LVS原理与网表比对 ERC检查
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25 寄生参数提取
寄生电容提取 寄生电阻提取 对电路性能影响 后仿真验证
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26 可靠性设计规则
电迁移EM 热载流子HCI 负偏压NBTI
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27 高压工艺版图规则
高压器件隔离 场氧厚度与电压 高压互连间距 爬电距离
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28 混合信号版图隔离规则
数字/模拟隔离 衬底噪声隔离 深N阱隔离 隔离环设计
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29 版图验证与Sign-off
DRC Sign-off LVS Sign-off ANT检查 DFM规则检查
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30 SMIC工艺版图实战案例
0.18um运放版图 40nm ADC版图 版图优化与Tape-out
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