通富微电 · 堆叠封装工艺开发实战 | 课程目录

01堆叠封装技术概述

3D vs 2.5D通富微电路线摩尔定律延续

02SiP系统级封装基础

SiP定义与SoC对比异构集成典型场景

03TSV硅通孔技术

TSV流程深宽比控制电镀填充CMP平坦化

04微凸点技术

Cu PillarSolder电镀/回流焊剪切力测试

05晶圆减薄与划片

背面减薄应力控制DBG工艺激光vs刀片

06临时键合与解键合

键合胶选择键合参数激光解键合机械解键合

07芯片贴装工艺

倒装焊FC贴片精度助焊剂涂覆N₂回流焊

08底部填充工艺

毛细CUFMUF空洞控制流变特性

09塑封工艺

压缩/转移塑封EMC材料翘曲控制金线冲线

10激光辅助键合LAB

LAB原理vs热压键合通富微电量产

11混合键合Hybrid Bonding

Cu-Cu直接键合介质层键合对准精度退火工艺

12热压键合TCB

TCB原理温度曲线压力控制N₂环境

13晶圆级封装WLCSP

扇入/扇出RDL工艺PI/PBO光刻胶电镀铜

14扇出型晶圆级封装FOWLP

芯片重构模塑工艺RDL制作通富微电平台

15桥接芯片Bridge Die技术

嵌入式桥接硅桥设计vs TSV方案

16内存堆叠HBM工艺

HBM2/3/4结构TSV+微凸点热管理挑战

173D NAND堆叠工艺

CMOS under Array阶梯接触高深宽比刻蚀

18CIS图像传感器堆叠

像素层+逻辑层BSI工艺混合键合应用

19射频前端模组封装

滤波器/PA/LNA异构集成屏蔽技术散热设计

20功率器件堆叠封装

SiC/GaN堆叠双面散热银烧结工艺

21可靠性测试基础

温度循环TCTMSL高温存储HTSHAST

22失效分析技术

X-ray检测SAM扫描SEM/EDX热成像定位

23翘曲控制与仿真

翘曲机理CTE匹配Ansys仿真工艺补偿

24热管理设计

热阻网络TIM材料微通道散热FloTHERM

25电性能设计

信号完整性SI电源完整性PI串扰抑制阻抗匹配

26工艺集成与验证

DRC检查工艺窗口验证CP/FT测试良率提升

27通富微电产线介绍

苏州工厂南通工厂产线布局设备选型

28成本控制与量产

材料成本优化UPH提升缺陷率降低供应链管理

29行业标准与专利

JEDEC标准IPC标准通富微电专利知识产权策略

30未来趋势

Chiplet生态UCIe标准玻璃基板光子集成封装