01
MicroLED技术概述
显示技术演进·MicroLED定位 · vs OLED/LCD · 核心优势与挑战
定位对比
02
MicroLED芯片基础结构
外延层 · 电极设计 · 钝化层 · 衬底类型
MQWP-GaN蓝宝石
03
微缩制程核心工艺（一）光刻
i-line→EUV · 光刻胶 · 对准精度与套刻误差
光刻套刻
04
微缩制程核心工艺（二）刻蚀
ICP-RIE vs IBE · 侧壁损伤 · 选择比与形貌
刻蚀ICP
05
微缩制程核心工艺（三）薄膜沉积
PECVD · ALD · 溅射 · 应力与均匀性
PECVDALD
06
微缩制程核心工艺（四）金属化
欧姆接触 · 退火 · 互连与电迁移
金属退火
07
微缩制程核心工艺（五）剥离与转移
激光剥离LLO · 巨量转移（弹性印章/静电/流体）
LLO转移
08
尺寸效应基础理论
量子限制QCSE · 表面复合 · 载流子限制 · Scaling Law
QCSE尺寸
09
小尺寸效率衰减 (Efficiency Droop)
ABC模型 · SRH复合 · 俄歇复合与泄漏
DroopABC
10
侧壁损伤与表面态
刻蚀损伤层 · 非辐射中心 · 侧壁钝化 (ALD/湿法)
表面态钝化
11
电流分布与拥挤效应
电流拥挤 · ITO优化 · DBR设计
ITODBR
12
热管理挑战
热流密度 · 热阻模型 · 微通道/热电冷却
散热热阻
13
波长均匀性与色纯度
量子阱波动 · 组分均匀 · 微透镜/谐振腔
色纯度均匀性
14
光提取效率优化
菲涅尔损失 · 表面粗化 · 光子晶体 · 纳米线
提取粗化
15
MicroLED驱动技术
PM vs AM · TFT背板 (LTPS/IGZO) · PWM调光
驱动TFT
16
全彩化方案
RGB三色 · 量子点QDCC · 纳米柱/线 · 串扰抑制
全彩QD
17
巨量转移技术详解
弹性印章 · 静电吸附 · 流体自组装 · 滚轴转印
转移Stamp
18
缺陷检测与修复
EL检测 · PL检测 · 激光修复与冗余设计
检测修复
19
芯片分割与分选
激光隐形切割 · 等离子体切割 · 分选精度
切割分选
20
封装与集成
WLP · 硅基板 · 扇出型 · 气密性封装
封装WLP
21
可靠性测试
加速老化 · 温度循环 · 湿度敏感 · ESD
可靠性ESD
22
MicroLED在AR/VR中的应用
微显示芯片 · 硅基OLED对比 · 光波导耦合
AR/VR微显示
23
MicroLED在车载显示中的应用
高亮度 · 宽温域 · AEC-Q102认证
车载AEC
24
MicroLED在超大屏显示中的应用
拼接缝 · 均匀性校正 · 功耗管理
超大屏拼接
25
MicroLED在可穿戴设备中的应用
低功耗 · 柔性衬底 · 异形切割
可穿戴柔性
26
MicroLED在光通信中的应用
VLC可见光通信 · 高速调制 · 阵列光源
光通信VLC
27
MicroLED制造设备与材料
MOCVD · 光刻机 · 刻蚀机 · 靶材/气体
设备材料
28
成本分析与产业化路径
制造成本 · 良率提升 · 规模化路线图
成本产业化
29
行业现状与主要玩家
三星/索尼/苹果/京东方/三安 · 专利布局
厂商专利
30
未来展望
纳米线LED · 钙钛矿LED · 单片集成 · AI制造
前沿智能像素