第1章
绪论：MicroLED技术路线与量产挑战概述
技术路线全景 · 量产瓶颈与突破方向
基础路线图
第2章
外延生长：MOCVD工艺参数对波长均匀性的影响
温度/压力/源流量 · 波长均匀性调控
外延MOCVD
第3章
量子阱结构：InGaN/GaN多量子阱的组分与厚度控制
阱层组分 · 厚度精确控制 · 发光效率
量子阱InGaN
第4章
芯片尺寸效应：微米级LED的侧壁缺陷与漏电机制
尺寸缩小 · 侧壁漏电 · 缺陷钝化
尺寸效应漏电
第5章
刻蚀工艺：ICP刻蚀参数对侧壁形貌与损伤的控制
ICP功率/气体 · 侧壁损伤 · 形貌优化
刻蚀ICP
第6章
钝化层沉积：ALD与PECVD工艺选择与参数优化
保形性 · 应力 · 界面态密度
钝化ALDPECVD
第7章
电极接触：透明导电层与金属电极的欧姆接触优化
接触电阻 · ITO参数 · 退火条件
电极欧姆接触
第8章
巨量转移：弹性印模转移工艺的拾取与释放参数
拾取速度 · 释放力 · 转移良率
巨量转移弹性印模
第9章
激光剥离：LLO工艺参数对GaN层完整性的影响
激光能量 · 光斑重叠 · 裂纹控制
激光剥离LLO
第10章
键合工艺：共晶键合与金属热压键合的温度压力曲线
温度梯度 · 压力均匀性 · 空洞率
键合共晶热压
第11章
缺陷检测：光致发光与电致发光Mapping的判据设定
PL/EL mapping · 缺陷阈值 · 自动化判据
检测PLEL
第12章
波长分选：Binning策略与良率提升的平衡
波长分布 · bin划分 · 成本与良率
分选Binning
第13章
亮度均匀性：驱动电流与PWM调光下的亮度一致性
电流均匀性 · PWM精度 · 亮度补偿
亮度PWM
第14章
漏电流控制：反向偏压下的漏电路径分析与工艺改善
漏电路径 · 侧壁钝化 · 改善方案
漏电流反向偏压
第15章
静电防护：MicroLED芯片的ESD敏感度与工艺加固
ESD模型 · 防护结构 · 工艺加固
ESD防护
第16章
可靠性测试：高温高湿与温度循环下的失效模式
85℃/85%RH · 温度循环 · 失效分析
可靠性失效模式
第17章
返修工艺：坏点替换与局部修复的温度控制
局部加热 · 芯片替换 · 热影响区
返修修复
第18章
全彩化方案：RGB三色芯片的发光效率匹配
RGB效率 · 色坐标 · 亮度平衡
全彩RGB
第19章
色域与色准：DCI-P3与BT.2020标准的工艺实现
色域覆盖 · 色准ΔE · 工艺调优
色域DCI-P3BT.2020
第20章
微透镜集成：光提取效率提升的工艺参数优化
微透镜阵列 · 光提取 · 纳米压印
微透镜光提取
第21章
衬底选择：蓝宝石、硅与GaN同质衬底的工艺差异
衬底对比 · 应力 · 成本权衡
衬底蓝宝石GaN
第22章
应力管理：薄膜应力对芯片翘曲与良率的影响
应力来源 · 翘曲控制 · 补偿方法
应力翘曲
第23章
清洗工艺：湿法清洗与等离子体清洗的参数窗口
清洗液配比 · 等离子体功率 · 颗粒去除
清洗湿法等离子体
第24章
光刻对准：亚微米套刻精度对电极图形的影响
套刻精度 · 对准标记 · 图形失真
光刻套刻
第25章
减薄划片：隐形切割与激光划片的崩边控制
隐形切割 · 崩边 · 断裂强度
划片隐形切割
第26章
测试分选：Probe测试参数与Chip Map生成
探针参数 · 测试序列 · 良率图谱
测试ProbeChip Map
第27章
数据驱动：SPC与FDC在量产线中的参数监控
统计过程控制 · 故障检测 · 实时监控
SPCFDC数据
第28章
DOE设计：全因子与响应曲面法在工艺窗口探索中的应用
因子设计 · RSM · 工艺窗口
DOE响应曲面
第29章
成本控制：从工艺参数角度降低单颗芯片成本
良率提升 · 材料节省 · 参数优化
成本良率
第30章
未来趋势：GaN-on-Si与量子点MicroLED的工艺展望
GaN-on-Si · 量子点 · 技术演进
趋势量子点GaN-on-Si