01
镀膜均匀性概述
什么是均匀性、为什么重要、均匀性的量化指标（非均匀度公式）
基础指标
02
物理气相沉积（PVD）基础
溅射原理、蒸发原理、PVD设备结构对均匀性的影响
PVD溅射
03
化学气相沉积（CVD）基础
LPCVD、PECVD原理、气流场与温度场对均匀性的影响
CVD温度场
04
腔室设计关键
靶材-基片间距、腔室几何形状、挡板与屏蔽罩设计
硬件设计
05
基片旋转与公转
旋转速度、公转轨迹、行星机构对膜厚分布的影响
运动均匀性
06
靶材优化策略
靶材形状（平面/旋转）、靶材成分、靶材老化管理
靶材寿命
07
工艺气体管理
气体流量控制、气体分布环设计、压力均匀性
气体压力
08
温度场控制
加热器分区设计、基片温度均匀性、热辐射补偿
温度热管理
09
等离子体均匀性
磁场设计、RF功率分布、等离子体诊断技术
等离子体RF
10
基片表面预处理
清洗工艺、表面活化、预溅射对成核均匀性的影响
表面预处理
11
膜厚监测技术
石英晶体微天平（QCM）、光学监测、终点检测
监测QCM
12
均匀性建模与仿真
蒙特卡洛模拟、流体动力学仿真、机器学习预测
仿真ML
13
实验设计（DOE）方法
全因子设计、响应曲面法、田口方法在均匀性优化中的应用
DOE统计
14
统计过程控制（SPC）
控制图、Cp/Cpk分析、均匀性趋势监控
SPC质量
15
常见均匀性缺陷分析
边缘效应、中心厚/薄、月牙形不均匀、颗粒污染
缺陷排查
16
边缘效应消除技术
边缘环设计、聚焦环、阴影效应补偿
边缘补偿
17
多腔室匹配
腔室间均匀性差异、匹配方法、设备认证流程
匹配认证
18
大尺寸基片挑战
300mm晶圆、面板级封装、大面积镀膜均匀性控制
大尺寸晶圆
19
脉冲镀膜技术
高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）、脉冲CVD、优势与参数优化
HiPIMS脉冲
20
反应溅射均匀性
靶材中毒、迟滞效应、反应气体分压控制
反应溅射迟滞
21
合金与多层膜均匀性
共溅射、多层膜厚度比控制、成分均匀性
合金多层
22
光学薄膜均匀性
窄带滤光片、增透膜、膜厚精度与均匀性要求
光学滤光片
23
半导体金属化均匀性
接触电阻、台阶覆盖、填充能力与均匀性平衡
金属化接触
24
介质膜均匀性
SiO2、Si3N4、低k介质膜厚均匀性控制
介质低k
25
均匀性快速检测方法
椭偏仪、四探针、XRF、Mapping技术
检测Mapping
26
设备维护对均匀性的影响
靶材更换、腔室清洁、泵油更换周期
维护周期
27
工艺转移与放大
研发到量产、不同设备间转移、均匀性复现
转移量产
28
先进控制算法
PID控制、前馈控制、模型预测控制在均匀性中的应用
控制算法
29
案例分析
某PVD设备均匀性从5%提升到1%的实战过程
实战案例
30
未来趋势
原子层沉积（ALD）均匀性、空间ALD、卷对卷镀膜均匀性
ALD趋势