01
SiC材料特性与肖特基二极管基础
SiC材料优势（宽禁带、高临界场强、高热导率）、肖特基势垒原理、JBS/MPS结构对比。
材料物理势垒
02
器件设计指标与参数定义
击穿电压(BV)、正向压降(VF)、漏电流(IR)、电容(C)、开关损耗、浪涌能力。
参数设计指标
03
漂移区设计（耐压层）
基于非穿通(NPT)与穿通(PT)理论的漂移区厚度与掺杂浓度计算，击穿电压与电阻率的关系。
耐压NPT/PT
04
JTE终端保护环设计
场板(FP)与结终端扩展(JTE)原理，JTE长度、掺杂浓度优化，多区JTE设计。
终端JTE
05
肖特基接触与欧姆接触设计
功函数选择（Ni、Ti、Mo）、势垒高度对VF与IR的trade-off、背面欧姆接触（Ni/SiC）。
接触功函数
06
有源区版图设计
元胞结构选择（六角形、条形、方形），元胞间距与电流分布均匀性，版图设计规则。
版图元胞
07
沟槽型SiC肖特基二极管设计
沟槽深度、宽度对电场分布的影响，沟槽底部圆角设计，沟槽刻蚀工艺考量。
沟槽电场
08
MPS（混合PiN肖特基）二极管设计
P+注入区间距与深度设计，P+区对浪涌能力与VF的影响，MPS正向与反向特性。
MPS浪涌
09
SiC肖特基二极管仿真流程
TCAD工具（Silvaco/Sentaurus）简介，器件结构定义、网格划分、物理模型选择。
TCAD仿真
10
电学特性仿真
正向I-V特性仿真（VF、Ron）、反向击穿特性仿真（BV、IR）、电容-电压(C-V)特性仿真。
I-VC-V
11
混合模式仿真与电路应用
将器件模型嵌入半桥电路，仿真开关损耗（Eon/Eoff）、反向恢复特性(Qrr)。
混合仿真开关
12
工艺仿真与器件结构校准
离子注入（Al、N）与激活退火仿真，氧化层生长与界面态影响，工艺偏差对器件性能的影响。
工艺校准
13
版图设计与DRC检查
版图层次定义（有源区、P+注入、JTE、场板、金属），设计规则检查(DRC)与常见错误。
DRC版图
14
光刻版设计
光刻版层次划分（有源区版、注入版、接触孔版、金属版），对准标记与套刻精度考量。
光刻掩模
15
SiC晶圆制造工艺（前段）
衬底与外延（4H-SiC，4° off-axis），CMP平坦化，清洗与表面预处理。
前段外延
16
SiC晶圆制造工艺（中段）
离子注入（高温注入，>500°C），激活退火（>1600°C，C膜保护），栅氧生长（干氧氧化+NO退火）。
中段注入
17
SiC晶圆制造工艺（后段）
肖特基金属沉积（Ni/Ti/Ag），欧姆接触金属沉积（Ni），快速热退火(RTA)，背面减薄与金属化。
后段金属化
18
器件测试（直流参数）
I-V曲线测试（VF、IR、BV），C-V测试（Ciss、Coss），高温测试（175°C）。
直流高温
19
器件测试（开关与可靠性）
双脉冲测试（Eon、Eoff、Qrr），浪涌电流测试（IFSM），HTRB与H3TRB可靠性测试。
开关可靠性
20
失效分析
失效模式分类（烧毁、漏电流增大、VF退化），失效定位技术（EMMI、OBIRCH、TIVA），物理失效分析（SEM、FIB、TEM）。
失效分析
21
热设计
热阻(Rth)计算，结温(Tj)估算，散热器选型与热仿真（FloTHERM/Ansys Icepak）。
热管理仿真
22
封装设计
TO-247/TO-220/DPAK封装选型，键合线（Al线/Cu线）设计，银烧结技术，封装寄生参数提取。
封装寄生
23
SiC肖特基驱动电路设计
驱动电压选择（+15V/-5V），栅极电阻(Rg)优化，米勒平台与串扰抑制，有源米勒钳位。
驱动米勒
24
SiC肖特基在PFC电路中的应用
CCM/DCM/CRM PFC拓扑，SiC二极管在PFC中的效率提升，EMI考量。
PFC效率
25
SiC肖特基在LLC谐振变换器中的应用
LLC拓扑原理，SiC二极管在LLC中的同步整流与死区时间优化。
LLC谐振
26
SiC肖特基在光伏逆变器中的应用
三相逆变器拓扑，SiC二极管在MPPT与逆变桥臂中的作用，系统效率对比。
光伏逆变
27
SiC肖特基在电动汽车OBC中的应用
OBC拓扑（CLLC/DAB），SiC二极管在双向DC-DC中的损耗分析，热管理。
OBC车载
28
SiC肖特基在电机驱动中的应用
电机驱动逆变器，SiC二极管在续流路径中的作用，开关频率提升对电机效率的影响。
电机续流
29
SiC肖特基与GaN HEMT的协同设计
SiC二极管作为GaN HEMT的续流二极管，半桥配置中的交叉导通抑制，混合封装技术。
GaN混合
30
SiC肖特基二极管设计总结与未来趋势
SiC衬底成本下降趋势，1200V/1700V/3300V高压器件发展，SiC MOSFET体二极管替代趋势，SiC模块化与集成化趋势。
趋势高压