01
LLC拓扑概述与软开关基础
LLC谐振变换器基本结构、ZVS与ZCS原理、为什么需要软开关。
软开关拓扑
02
MOSFET开关过程物理机理
寄生电容（Cgs, Cgd, Cds）、米勒平台、开关瞬态过程分析。
米勒寄生
03
导通损耗与开关损耗定义
导通电阻Rds(on)损耗、开通损耗Eon、关断损耗Eoff的数学定义。
Eon/EoffRds(on)
04
LLC中MOSFET的ZVS条件
谐振电流与死区时间的关系、实现ZVS的最小电流条件。
ZVS死区
05
死区时间对开关损耗的影响
死区时间过短导致硬开关、死区时间过长导致体二极管导通损耗。
死区体二极管
06
寄生电容非线性特性
Coss随Vds变化的曲线、非线性电容对损耗计算的影响。
Coss非线性
07
米勒平台与驱动损耗
米勒电荷Qgd、驱动电阻对开关速度的影响、驱动损耗计算。
Qgd驱动
08
开关损耗的时域分析方法
基于波形分段积分法、如何从仿真波形提取Eon/Eoff。
时域积分
09
LLC轻载与重载下的损耗差异
轻载时ZVS丢失、重载时导通损耗占主导。
轻载重载
10
结温对开关损耗的影响
Rds(on)与温度系数、开关速度随温度变化。
结温温度系数
11
MOSFET选型对损耗的影响
不同封装（TO-247, D2PAK）、不同技术（Si, SiC, GaN）的损耗对比。
SiCGaN
12
驱动电路设计对开关损耗的优化
驱动电压高低、驱动电阻大小、有源米勒钳位。
驱动米勒钳位
13
谐振参数（Lr, Cr）对开关损耗的影响
谐振频率、励磁电感设计对ZVS范围的影响。
Lr/CrZVS范围
14
变压器寄生参数对开关损耗的影响
漏感、匝间电容对波形振铃的影响。
漏感振铃
15
PCB布局对开关损耗的影响
功率回路寄生电感、驱动回路寄生电感、共源电感效应。
布局共源电感
16
仿真工具设置与精度控制
时间步长选择、收敛性问题、模型选择（理想MOSFET vs 实际模型）。
仿真收敛
17
基于LTspice的LLC开关损耗仿真实战
搭建半桥LLC电路、设置MOSFET模型、测量开关波形。
LTspice实战
18
基于Simulink/PLECS的损耗分析
热仿真耦合、损耗表生成、系统级效率评估。
PLECS热仿真
19
双脉冲测试原理与仿真
双脉冲测试电路搭建、提取Eon/Eoff、验证ZVS条件。
双脉冲Eon/Eoff
20
开关损耗的数学建模
基于数据手册的损耗估算公式、曲线拟合方法。
建模拟合
21
损耗分离技术
如何从总损耗中分离开关损耗与导通损耗、实验测量方法。
分离测量
22
高频化趋势下的损耗挑战
1MHz以上LLC的开关损耗、GaN器件的优势与局限。
高频GaN
23
同步整流对开关损耗的影响
SR MOSFET的ZVS、体二极管导通时间优化。
同步整流SR
24
死区时间自适应控制技术
实时监测Vds、动态调整死区、降低轻载损耗。
自适应死区
25
软开关失效模式分析
容性开通、感性关断、寄生振荡导致的额外损耗。
失效振荡
26
损耗与EMI的权衡
开关速度与EMI的矛盾、软开关对EMI的改善。
EMI权衡
27
多电平LLC拓扑中的开关损耗
三电平LLC、级联结构中的损耗分布。
多电平三电平
28
热管理对开关损耗的影响
散热器设计、热阻网络、结温估算。
热管理结温
29
损耗优化设计案例
1kW LLC电源的MOSFET选型与驱动优化全过程。
案例1kW
30
课程总结与工程实践建议
常见设计误区、调试技巧、未来技术趋势。
总结实践