⚡ 台积电工艺节点 · 嵌入式必修
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30章 · 从微米到GAAFET
01
台积电工艺节点概述
半导体简史
市场地位
nm与制程
02
微米时代 (0.5μm~0.13μm)
早期工艺
嵌入式案例
功耗性能平衡
03
130nm 工艺节点
铜互连
低功耗初探
MCU体会
04
90nm 工艺节点
应变硅
漏电流
SRAM优化
05
65nm 工艺节点
高k前夜
功耗管理
射频/混合信号
06
45nm 工艺节点
HKMG革命
性能飞跃
嵌入式存储器
07
40nm 工艺节点
LP/高性能分支
IoT应用
踩坑实录
08
28nm 工艺节点
HKMG成熟
HPC vs HPL
黄金节点
09
20nm 工艺节点
双重曝光
尴尬定位
跳过20nm
10
16nm FinFET
FinFET原理
16 vs 20
嵌入式AI起点
11
12nm 工艺节点
16nm优化
性能/成本
典型场景
12
10nm 工艺节点
EUV过渡
良率挑战
台积vs三星
13
7nm 工艺节点
EUV全面应用
密度性能
高性能嵌入
14
6nm 工艺节点
7nm增强
5G/AI
功耗效率
15
5nm 工艺节点
EUV成熟
晶体管密度
散热挑战
16
4nm 工艺节点
5nm优化
移动芯片
工艺微缩看法
17
3nm 工艺节点
GAAFET前夜
功耗性能
嵌入式未来
18
2nm及以下工艺
GAAFET
挑战机遇
台积电路线图
19
特殊工艺平台
CIS
MEMS
BCD
eNVM
20
低功耗工艺 LP/ULP
LP特点
可穿戴
DVFS
21
高性能工艺 HPC/HPC+
散热设计
高性能嵌入
服务器芯片
22
射频工艺 RF
RF CMOS
毫米波
蓝牙/WiFi
23
车规级工艺 Automotive
车规认证
AEC-Q100
可靠性
24
工艺节点与嵌入式MCU
MCU工艺选择
成本性能
典型节点
25
工艺节点与嵌入式SoC
异构集成
AI加速器
NPU选择
26
工艺节点与存储器
SRAM微缩
eFlash挑战
MRAM/RRAM
27
工艺节点与功耗管理
静态/动态功耗
漏电流控制
电源门控
28
工艺节点与信号完整性
互连延迟
串扰
电源完整性
29
工艺节点与设计规则
DRC
天线效应
金属密度
30
未来展望与总结
未来路线图
嵌入式应对
课程总结