📘 中芯国际NVM工艺
嵌入式存储实现
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30章 · 完整目录
1
NVM技术概述
非易失性存储定义 · Flash/EEPROM/MRAM/RRAM
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2
中芯国际NVM工艺平台
40nm/55nm/90nm · 设计规则概览
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3
浮栅晶体管原理
浮栅结构 · 电荷存储 · 阈值电压变化
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4
Flash存储单元结构
1T/2T/Split-gate · 对比与优缺点
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5
EEPROM单元结构
1T/2T · 隧道氧化层 · 与Flash区别
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6
电荷泵电路设计
Dickson · 交叉耦合 · 纹波控制
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7
高压产生与管理
Vpp/Vee · 高压开关 · 电平移位
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8
灵敏放大器设计
电流/电压模式 · 参考产生 · 失调消除
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9
译码电路设计
X/Y译码器 · 局部/全局字线驱动
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10
存储阵列架构
NOR/NAND/AND · 虚拟地阵列
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11
读操作时序
读周期 · 地址建立/保持 · 输出有效窗口
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12
写操作时序
编程脉冲 · Program Verify · 写状态机
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13
擦除操作时序
擦除脉冲 · Erase Verify · 预编程
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14
状态机与控制逻辑
FSM · 命令接口 · 状态寄存器
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15
冗余与修复技术
行/列冗余 · 熔丝 · ECC (Hamming/BCH)
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16
测试模式设计
DFT · MBIST · 测试向量生成
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17
可靠性设计
数据保持 · 耐久性 · 读干扰 · 循环退化
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18
低功耗设计技术
Power/Clock Gating · DVFS · 休眠模式
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19
工艺偏差与良率优化
工艺角 · 蒙特卡洛 · CD控制 · OPC
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20
版图设计基础
存储单元/外围版图 · 电源规划 · 天线效应
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21
设计规则检查 (DRC)
最小间距/宽度 · 包围/密度/天线规则
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22
版图与原理图一致性 (LVS)
器件识别 · 节点提取 · 网表比对
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23
寄生参数提取 (RCX)
寄生电容/电阻 · 互连延迟 · 后仿真
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24
时序分析与收敛
setup/hold · CTS · SDC · STA
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25
功耗分析与优化
动态/静态/峰值功耗 · IR Drop
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26
电磁兼容性 (EMC) 设计
PI/SI · 串扰 · EMI抑制
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27
嵌入式NVM在MCU中的应用
Flash型MCU · 代码/数据存储 · OTA
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28
嵌入式NVM在IoT芯片中的应用
低功耗NVM · 安全存储 · PUF
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29
嵌入式NVM在汽车电子中的应用
AEC-Q100 · 高温 · ISO 26262 · 纠错冗余
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30
未来趋势与挑战
MRAM/RRAM/FeRAM · 3D NAND · 存算一体
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